PLUTO-MH國產等離子刻蝕機特點：
1.針對于對等離子體處理有嚴苛要求的場合中使用
2.等離子源才用頻率為13.56MHz射頻發生器，兼顧物理反應和化學反應
3.采用500W功率電源，自動阻抗匹配，高功率射頻發生器可應對各種實驗要求，保障高能量密度和高處理效率
4.高精度真空度控制，適應各種處理需求
5.316不銹鋼腔體(或者6061鋁合金)，全不銹鋼管路和連接件，適用各種氣體(包含腐蝕性氣體)
6.4.3寸工業級觸摸屏，軟件操作方便，多種參數設置和工藝組合處理模式
7.可增加多種配件，涂覆鍍膜，電極溫度控制，等離子體強度控制，等離子體化學反應等功能(如有特殊應用，請咨詢銷售人員)
8.根據用戶需求，提供對應等離子體處理方案和定制特殊用途設備
PLUTO-MH國產等離子刻蝕機參數:
真空腔規格: 316不銹鋼腔體,直徑210mm*(深)230mm 約4L
電極：兩個自適應平板電極，材質T6061鋁合金(可提供特氟龍包覆無孔平板電極,適合需要雙面處理樣品)
電極尺寸：120*135mm 間距20~75mm 可調(可反轉)
等離子體發生器：RF射頻發生器，頻率：13.56MHz
功率：0-500W連續可調，自動阻抗匹配,精度1W
氣體控制：針式氣體流量閥，標配1路氣體,全不銹鋼管道和連接件
控制方式：4.3寸工業控制觸摸屏
控制軟件功能：界面顯示實時工作狀態，
可顯示設置值與實際值，便于實時控制。
可自由設置等離子功率，通入氣體時間
多級操作權限,多種工藝參數組合控制,
全手動控制和全自動控制可選
保護裝置：一鍵急停保護按鈕
(如需其他功能,請咨詢銷售人員)
PLUTO-MH國產等離子刻蝕機應用領域:
配置不同模塊，拓展不同應用
加熱電極模塊-溫度可控，可以加速等離子體處理速度和極大提高樣品處理的均勻性
沉積鍍膜模塊，改變表面特性：
沉積CF材料，樣品表面可以具有憎水的特性
沉積含苯材料，樣品表面起到絕緣防水的特性
沉積含有羥基的材料，提高樣品表面和其他材料的結合效果
感應耦合模塊-感應耦合等離子體裝置
氣體混合裝置
可以根據可以要求進行混氣設計
氣體純化和反應
氣體純化和使用等離子體與相關材料進行化學反應
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